伴随着科学技术的不断地发展，炫酷新技术、新材料、新工艺不断涌现。

(d,e)非完全接触Cu底电极时，布旗导电细丝的TEM图像及对应的HRTEM图像。舰卖(i)GMG器件的典型开关特性曲线。

帅气(b,c)光照下Ag/CH3NH3PbI3-xClx/FTO的I-V曲线及能级示意图。联名(b)MoS2/p-Si结的物理开关机制示意图。近年来，高达二维材料因其独特的优势被广泛应用于忆阻器中，高达不仅提高了忆阻器的性能，而且还促进了忆阻器在柔性电子、低功耗、高温设备、神经形态计算等方面的发展。

炫酷(h)测量设备及对应图片。布旗(c)源漏极通过导电细丝导通。

舰卖图16. Al/Ti3C2Tx/Pt忆阻器的物理开关机制(a-d)LRS和HRS的拟合曲线及对应的I-V曲线。

帅气(b)电铸后Mo0.96W0.04Te2RRAM器件的I-V曲线。联名这种插层方法为二维材料的工程设计提供了一种新的策略。

原生的SEI层含有有机组分（比如R1OCOOR2,ROLi）和无机组分（比如Li2CO3,Li3N)，高达他们相对于锂金属而言热力学不稳定，高达从而会加剧界面不稳定性并进一步引发锂枝晶的生长。工作介绍：炫酷长期从事MOF材料研究，研发的MOF材料能过滤PM2.5、分解臭氧，已被应用于空气净化器等。

 2011年毕业于北京大学化学与分子工程学院，布旗获得本科学士学位。在此，舰卖北京航空航天大学宫勇吉教授、舰卖张千帆副教授与燕山大学聂安民教授合成了原子级分散的金属掺杂石墨烯用来调控锂金属的成核过程并诱导锂金属沉积。